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1N4758CP/TR12

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1.0W, VZ = 56V, ? 2% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 1.0W 56V 2% DO41
1N4758CP/TR12 技術參數
  • 1N4758CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N4758AUR 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N4758A-TR 功能描述:DIODE ZENER 56V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4758A-TP 功能描述:DIODE ZENER 56V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41G 標準包裝:1 1N4758A-TAP 功能描述:DIODE ZENER 56V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):110 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 42.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 1N4758PE3/TR8 1N4759 G 1N4759A A0G 1N4759A B0G 1N4759A BK 1N4759A G 1N4759A R0G 1N4759A R1G 1N4759A TR 1N4759AE3/TR13 1N4759AHA0G 1N4759AHB0G 1N4759AHR0G 1N4759AHR1G 1N4759AP/TR12 1N4759AP/TR8 1N4759APE3/TR12 1N4759APE3/TR8
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