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1N4935GP/23

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N4935GP/23
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
19875
GE
DO41
2024+
-
一級代理商原裝現貨

1N4935GP/23
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
256
Vishay Semiconductors
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： 1N4935GP-E3/54 1N4935GP-E3/73 1N4935GPHE3/54 1N4935GPHE3/73 1N4935GP-M3/54 1N4935GP-M3/73 1N4935G-T 1N4935L-T 1N4935RL

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1N4935GP/23 PDF下載

功能描述
整流器 200 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N4935GP/23 技術參數

1N4935GP 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:12pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:25,000 1N4935GL-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4935GHR1G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4935GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 1N4935GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 1N4935RLG 1N4935-T 1N4936 1N4936 BK 1N4936 TR 1N4936-E3/53 1N4936-E3/54 1N4936-E3/73 1N4936G 1N4936G A0G 1N4936G B0G 1N4936G R0G 1N4936G R1G 1N4936GHA0G 1N4936GHB0G 1N4936GHR0G 1N4936GHR1G 1N4936GL-T