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1N4936/1000

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1N4936/1000 技術參數
  • 1N4936 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N4936 BK 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:- 標準包裝:2,000 1N4936 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:12pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4935-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4935RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N4936GHB0G 1N4936GHR0G 1N4936GHR1G 1N4936GL-T 1N4936GP 1N4936GP-E3/54 1N4936GP-E3/73 1N4936GPHE3/54 1N4936GPHE3/73 1N4936GP-M3/54 1N4936GP-M3/73 1N4936G-T 1N4936L-T 1N4936RL 1N4936RLG 1N4936-T 1N4937 1N4937 BK
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