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1N4942GP-E3/54

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • 1N4942GP-E3/54
    1N4942GP-E3/54

    1N4942GP-E3/54

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • VIS

  • 原廠封裝

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  • 1N4942GP-E3/54
    1N4942GP-E3/54

    1N4942GP-E3/54

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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  • 原廠封裝

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  • 16+/17+

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  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

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  • 1
1N4942GP-E3/54 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 整流器 1.0 Amp 200 Volt
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復時間
  • 1.2 us
  • 正向連續電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
1N4942GP-E3/54 技術參數
  • 1N4942C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:27pF @ 5V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N4942 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:45pF @ 12V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4938UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO213 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):175V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4938TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):500mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 75V 不同?Vr,F 時的電容:5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:30,000 1N4938-1 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):175V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4944GPHE3/73 1N4944GP-M3/54 1N4944GP-M3/73 1N4946 1N4946GP-E3/54 1N4946GP-E3/73 1N4946GPHE3/54 1N4946GPHE3/73 1N4946GP-M3/54 1N4946GP-M3/73 1N4947 1N4947GP-E3/53 1N4947GP-E3/54 1N4947GP-E3/73 1N4947GPHE3/54 1N4947GPHE3/73 1N4947GPHM3/73 1N4947GP-M3/54
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