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1N5223B..

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  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor Corporation
  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor Corporation
  • 功能描述
  • ZENER DIODE, 500mW, 2.7V, DO-35
1N5223B.. 技術參數
  • 1N5223B TR 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5223B BK 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5223B A0G 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5223B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5223B 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5223C-TR 1N5224A (DO-35) 1N5224B 1N5224B (DO-35) 1N5224B A0G 1N5224B TR 1N5224B_T50A 1N5224B_T50R 1N5224B-T 1N5224BTA 1N5224B-TAP 1N5224B-TP 1N5224B-TR 1N5224BUR-1 1N5224C-TAP 1N5224C-TR 1N5225A (DO-35)TR 1N5225B
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