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1N5234B-TR/BKN

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1N5234B-TR/BKN PDF下載

制造商
Vishay Semiconductors
功能描述
Diode; Zener; 6.2 V; 500 mW; DO-35; IR=20 mA; IL=5 a??A; IF=200 mA

1N5234B-TR/BKN 技術(shù)參數(shù)

1N5234B-TR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5234BTR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5234B-TP 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5234B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N5234BTA 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N5235B (DO-35) 1N5235B A0G 1N5235B BK 1N5235B TR 1N5235B_S00Z 1N5235B_T50A 1N5235B_T50R 1N5235BDO35 1N5235B-T 1N5235BTA 1N5235B-TAP 1N5235B-TP 1N5235BTR 1N5235B-TR 1N5235BUR-1 1N5235C-TAP 1N5235C-TR 1N5235TA