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1N5235B(0.5W6.8V)

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1N5235B(0.5W6.8V) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N5235B(0.5W6.8V) 技術參數

1N5235B TR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5235B BK 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5235B A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5235B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5235B 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5235B-TR 1N5235BUR-1 1N5235C-TAP 1N5235C-TR 1N5235TA 1N5236A 1N5236A (DO-35) 1N5236B 1N5236B (DO-35) 1N5236B A0G 1N5236B BK 1N5236B TR 1N5236B_S00Z 1N5236B_T26A 1N5236B_T50A 1N5236B_T50R 1N5236BDO35 1N5236BDO35E3