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1N5236B-TAP(NOPB)

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1N5236B-TAP(NOPB)
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36200
原廠
原廠原裝
18+
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1N5236B-TAP(NOPB) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N5236B-TAP(NOPB) 技術參數

1N5236B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5236BTA 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5236B-T 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5236BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5236BDO35 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5237B 1N5237B (DO-35) 1N5237B A0G 1N5237B BK 1N5237B TR 1N5237B_S00Z 1N5237B_T26A 1N5237B_T50A 1N5237B_T50R 1N5237B-T 1N5237BTA 1N5237B-TAP 1N5237B-TP 1N5237BTR 1N5237B-TR 1N5237BUR-1 1N5237C-TAP 1N5237C-TR