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1N5239DRL2

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1N5239DRL2 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5239C-TR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5239C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5239BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N5239B-TR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5239BTR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5240B_T50A 1N5240B_T50R 1N5240BDO35 1N5240B-T 1N5240BTA 1N5240B-TAP 1N5240B-TP 1N5240BTR 1N5240B-TR 1N5240BUR-1 1N5240C-TAP 1N5240C-TR 1N5240TA 1N5241A 1N5241A (DO-35) 1N5241B 1N5241B (DO-35) 1N5241B A0G
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