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1N5241BTR-T

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  • 1N5241BTR-T&R LF
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  • 標準國際(香港)有限公司
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    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

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1N5241BTR-T 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5241B-TR 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5241BTR 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5241B-TP 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5241B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5241BTA 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5242B BK 1N5242B TR 1N5242B_S00Z 1N5242B_T50A 1N5242B_T50R 1N5242BDO35 1N5242BDO35E3 1N5242B-T 1N5242BTA 1N5242B-TAP 1N5242B-TP 1N5242BTR 1N5242B-TR 1N5242BUR-1 1N5242C-TAP 1N5242C-TR 1N5242TA 1N5243A
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