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1N5248BT/R

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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1N5248BT/R 技術參數
  • 1N5248B-T 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5248B-G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5248BDO35 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5248B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5248B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):21 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5248TA 1N5249A 1N5249A (DO-35) 1N5249B 1N5249B (DO-35) 1N5249B A0G 1N5249B BK 1N5249B TR 1N5249B_S00Z 1N5249B_T50A 1N5249B_T50R 1N5249B-T 1N5249BTA 1N5249B-TAP 1N5249B-TP 1N5249BTR 1N5249B-TR 1N5249BUR-1
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