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1N5334/TR12

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1N5334/TR12 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 5.0W, VZ = 3.6V, ? 20% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.0W 3.6V 20% T-18
1N5334/TR12 技術參數
  • 1N5333BRLG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N5333BRL 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:10 1N5333BG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1,000 1N5333B 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5331 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 22A DO4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1400V(1.4kV) 電流 - 平均整流(Io):22A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 30A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-4 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 1N5334BE3 1N5334BE3/TR12 1N5334BE3/TR13 1N5334BE3/TR8 1N5334BG 1N5334BRL 1N5334BRLG 1N5334C/TR12 1N5334C/TR8 1N5334CE3/TR12 1N5334CE3/TR13 1N5334CE3/TR8 1N5334E3/TR12 1N5334E3/TR13 1N5334E3/TR8 1N5335/TR12 1N5335/TR8 1N5335A/TR12
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