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1N5342BRLGOSCT

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1N5342BRLGOSCT 技術(shù)參數(shù)

1N5342BRLG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5342BRL 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N5342BG 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5342BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5342BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 4.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5343/TR12 1N5343/TR8 1N5343A/TR12 1N5343A/TR8 1N5343AE3/TR12 1N5343AE3/TR13 1N5343AE3/TR8 1N5343B 1N5343B/TR12 1N5343B/TR8 1N5343BE3/TR12 1N5343BE3/TR13 1N5343BE3/TR8 1N5343BG 1N5343BRL 1N5343BRLG 1N5343B-TP 1N5343C/TR12

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