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1N5349BE3/TR8

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  • 1N5349BE3/TR8
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    1N5349BE3/TR8

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 5.0W, VZ = 12V, ? 5% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.0W 12V 5% T-18
1N5349BE3/TR8 技術參數
  • 1N5349BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5349BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5349BE3 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1 1N5349B/TR8 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5349B 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1 1N5349E3/TR12 1N5349E3/TR13 1N5349E3/TR8 1N5350/TR12 1N5350/TR8 1N5350A/TR12 1N5350A/TR8 1N5350AE3/TR12 1N5350AE3/TR13 1N5350AE3/TR8 1N5350B 1N5350B/TR12 1N5350B/TR8 1N5350BE3/TR12 1N5350BE3/TR13 1N5350BE3/TR8 1N5350BG 1N5350BRL
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