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1N5361G

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1N5361G 技術(shù)參數(shù)

1N5361E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5361E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5361E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5361CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5361CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 19.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5362B/TR8 1N5362BE3/TR12 1N5362BE3/TR13 1N5362BE3/TR8 1N5362BG 1N5362BRL 1N5362BRLG 1N5362B-TP 1N5362C/TR12 1N5362C/TR8 1N5362CE3/TR12 1N5362CE3/TR13 1N5362CE3/TR8 1N5362E3/TR12 1N5362E3/TR13 1N5362E3/TR8 1N5363/TR12 1N5363/TR8