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1N5363A/TR8

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1N5363A/TR8 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 5.0W, VZ = 30V, ? 10% - Tape and Reel
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 5.0W 30V 10% T-18
1N5363A/TR8 技術參數
  • 1N5363A/TR12 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±10% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5363/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5363/TR12 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5362E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):28V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5362E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 28V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):28V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):6 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 20.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5363BG 1N5363BRL 1N5363BRLG 1N5363B-TP 1N5363C/TR12 1N5363C/TR8 1N5363CE3/TR12 1N5363CE3/TR13 1N5363CE3/TR8 1N5363E3/TR12 1N5363E3/TR13 1N5363E3/TR8 1N5364/TR12 1N5364/TR8 1N5364A/TR12 1N5364A/TR8 1N5364AE3/TR12 1N5364AE3/TR13
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