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1N5363BRLG(30V)

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 北京首天偉業科技有限公司
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    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

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1N5363BRLG(30V) 技術參數
  • 1N5363BRLG 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N5363BRL 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:10 1N5363BG 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 22.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1,000 1N5363BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5363BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 21.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5364/TR12 1N5364/TR8 1N5364A/TR12 1N5364A/TR8 1N5364AE3/TR12 1N5364AE3/TR13 1N5364AE3/TR8 1N5364B 1N5364B/TR12 1N5364B/TR8 1N5364BE3/TR12 1N5364BE3/TR13 1N5364BE3/TR8 1N5364BG 1N5364BRL 1N5364BRLG 1N5364B-TP 1N5364C/TR12
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