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1N5364BRLG.

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  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • ZENER DIODE 5W 33V 017AA
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • ZENER DIODE, 5W, 33V, 017AA
1N5364BRLG. 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5364BRLG 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5364BRL 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N5364BG 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5364BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5364BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5365/TR12 1N5365/TR8 1N5365A/TR12 1N5365A/TR8 1N5365AE3/TR12 1N5365AE3/TR13 1N5365AE3/TR8 1N5365B 1N5365B/TR12 1N5365B/TR8 1N5365BE3/TR12 1N5365BE3/TR13 1N5365BE3/TR8 1N5365BG 1N5365BRL 1N5365BRLG 1N5365B-TP 1N5365C/TR12
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