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1N5364CE3/TR12

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1N5364CE3/TR12 PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
5.0W, VZ = 33V, ? 2% - Tape and Reel
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 5.0W 33V 2% T-18

1N5364CE3/TR12 技術(shù)參數(shù)

1N5364C/TR8 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5364C/TR12 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5364B-TP 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W DO15 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-15 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5364BRLG 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5364BRL 功能描述:DIODE ZENER 33V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:T-18，軸向供應(yīng)商器件封裝:軸向標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1N5365AE3/TR12 1N5365AE3/TR13 1N5365AE3/TR8 1N5365B 1N5365B/TR12 1N5365B/TR8 1N5365BE3/TR12 1N5365BE3/TR13 1N5365BE3/TR8 1N5365BG 1N5365BRL 1N5365BRLG 1N5365B-TP 1N5365C/TR12 1N5365C/TR8 1N5365CE3/TR12 1N5365CE3/TR13 1N5365CE3/TR8