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1N5370BGOS-ND

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1N5370BGOS-ND 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5370BG 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 42.6V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5370BE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 40.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5370BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 40.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 1N5370BE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 40.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 1N5370B/TR8 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 40.3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N5370E3/TR8 1N5371/TR12 1N5371/TR8 1N5371A/TR12 1N5371A/TR8 1N5371AE3/TR12 1N5371AE3/TR13 1N5371AE3/TR8 1N5371B 1N5371B/TR12 1N5371B/TR8 1N5371BE3/TR12 1N5371BE3/TR13 1N5371BE3/TR8 1N5371BG 1N5371BRL 1N5371BRLG 1N5371C/TR12
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