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1N5400T

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說明
操作

1N5400T
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
mcc
tr
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！

1N5400TR
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
200
MICROSEMI CORP
-
公司現貨!只做原裝!

1N5400T/R
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
93175
EIC SEMICONDUCTOR INC.
DO-201AD, Axial
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1N5400T-G
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
33277
Comchip Technology
DO-27-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共18條
1

您是不是要找： 1N5400-T 1N5400TA 1N5400T-G 1N5400-TP 1N5401 1N5401/54 1N5401-B 1N5401-E3/54 1N5401-E3/73

1N5400T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N5400T 技術參數

1N5400RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5400RL 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 170°C 標準包裝:1,200 1N5400G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5400GP-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,200 1N5400GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 1N5401G 1N5401-G 1N5401G A0G 1N5401G B0G 1N5401G R0G 1N5401GHA0G 1N5401GHB0G 1N5401GHR0G 1N5401GP-TP 1N5401G-T 1N5401RL 1N5401RLG 1N5401-T 1N5401TA 1N5401-TP 1N5402 1N5402/54 1N5402-B