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1N5400T6-T

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1N5400T6-T 技術參數

1N5400-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:50pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5400RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5400RL 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 170°C 標準包裝:1,200 1N5400G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5400GP-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,200 1N5401-G 1N5401G A0G 1N5401G B0G 1N5401G R0G 1N5401GHA0G 1N5401GHB0G 1N5401GHR0G 1N5401GP-TP 1N5401G-T 1N5401RL 1N5401RLG 1N5401-T 1N5401TA 1N5401-TP 1N5402 1N5402/54 1N5402-B 1N5402-E3/51