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1N5401.

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  • 制造商
  • SPC Multicomp
  • 功能描述
  • DIODE 3A 100V
1N5401. 技術參數
  • 1N5401 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:30pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5400-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5400T-G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-27(DO-201AD) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1,200 1N5400TA 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:30pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,250 1N5400-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:50pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5401GHA0G 1N5401GHB0G 1N5401GHR0G 1N5401GP-TP 1N5401G-T 1N5401RL 1N5401RLG 1N5401-T 1N5401TA 1N5401-TP 1N5402 1N5402/54 1N5402-B 1N5402-E3/51 1N5402-E3/54 1N5402-E3/73 1N5402G 1N5402-G
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