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1N5404-E3/54.

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1N5404-E3/54. 技術參數

1N5404-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5404-E3/51 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,500 1N5404-B 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:50pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5404 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5403-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5404GP-E3/54 1N5404GP-TP 1N5404G-T 1N5404RL 1N5404RLG 1N5404-T 1N5404TA 1N5404-TP 1N5405 1N5405-E3/54 1N5406 1N5406-B 1N5406-E3/51 1N5406-E3/54 1N5406-E3/73 1N5406G 1N5406-G 1N5406G A0G