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1N5404GDICT

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1N5404GDICT 技術參數(shù)
  • 1N5404G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 1N5404G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5404G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5404-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-27（DO-201AD） 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5404G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5404TA 1N5404-TP 1N5405 1N5405-E3/54 1N5406 1N5406-B 1N5406-E3/51 1N5406-E3/54 1N5406-E3/73 1N5406G 1N5406-G 1N5406G A0G 1N5406G B0G 1N5406G R0G 1N5406GHA0G 1N5406GHB0G 1N5406GHR0G 1N5406GP-E3/54
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