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1N5532D

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

1N5532D 技術參數

1N5532BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 10.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N5532B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 10.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5532B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5531BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5531B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5537BUR-1 1N5538B 1N5538BUR-1 1N5539B 1N5539BUR-1 1N5540B 1N5540BUR-1 1N5541B 1N5542B 1N5542BUR-1 1N5543B 1N5543BUR-1 1N5544B 1N5544BUR-1 1N5545B 1N5545BUR-1 1N5546B 1N5546BUR-1