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1N5806UTG1416

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1N5806UTG1416 技術參數
  • 1N5806USE3/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5806USE3 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5806US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5806US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:D-5A 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5806TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應商器件封裝:A-PAK 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5811TR 1N5811US 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814 1N5814R 1N5815 1N5815R 1N5816 1N5816R 1N5817 1N5817 A0G 1N5817 B0G 1N5817 BK 1N5817 R0G
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