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1N5814CDAS

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1N5814CDAS 技術參數
  • 1N5814 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:300pF @ 10V,1MHz 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-203AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5813R 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5813 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5812R 功能描述:RECTIFIER DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5812 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):20A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):15ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:300pF @ 10V,1MHz 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-203AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR 1N5817/54 1N5817-B 1N5817-E3/53 1N5817-E3/54 1N5817-E3/73 1N5817G 1N5817HA0G 1N5817HB0G 1N5817HR0G 1N5817HR1G 1N5817M-13 1N5817RL 1N5817RLG 1N5817-T 1N5817-TP
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