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1N5819SLPT

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1N5819SLPT 技術參數

1N5819RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5819RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5819M-13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-60°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5819HW-7-F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5819HW-7 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123 供應商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5820-E3/73 1N5820G 1N5820HA0G 1N5820HB0G 1N5820HR0G 1N5820RL 1N5820RLG 1N5820-T 1N5820-TP 1N5820US 1N5821 1N5821 A0G 1N5821 B0G 1N5821 R0G 1N5821-B 1N5821-E3/54 1N5821G 1N5821HA0G