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1N5825/ON

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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • ON

  • DO-201

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

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1N5825/ON 技術參數
  • 1N5825 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5A 40V TOPHAT 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:380mV @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:頂部帽蓋型 基本零件編號:1N5825 標準包裝:1 1N5824 功能描述:DIODE SCHOTTKY 5A 30V TOPHAT 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):370mV @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10mA @ 30V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822US 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):500mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100mA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應商器件封裝:B,SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822-TP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:200pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5822-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 40V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5830R 1N5831 1N5831R 1N5832 1N5832R 1N5833 1N5833R 1N5834 1N5834R 1N5907 1N5908 1N5908G 1N5908RL4 1N5908RL4G 1N5913A 1N5913A G 1N5913AE3/TR13 1N5913AP/TR12
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