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1N5908G.

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
TVS Diode

1N5908G. 技術參數

1N5908G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:500 1N5908 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:散裝零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:500 1N5907 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC DO-13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:120A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5834R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:590mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5834 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:590mV @ 40A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20mA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:100 1N5913B 1N5913B G 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL 1N5913BRLG 1N5913BUR-1 1N5913C 1N5913C G 1N5913CE3/TR13 1N5913CP/TR12 1N5913CP/TR8 1N5913CPE3/TR12 1N5913CPE3/TR8