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1N5908RL4G.

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRES

1N5908RL4G. 技術參數

1N5908RL4G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N5908RL4 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:10 1N5908G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:500 1N5908 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:散裝零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:500 1N5907 功能描述:TVS DIODE 5VWM 8.5VC DO-13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:8.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:120A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL 1N5913BRLG 1N5913BUR-1 1N5913C 1N5913C G 1N5913CE3/TR13 1N5913CP/TR12 1N5913CP/TR8 1N5913CPE3/TR12 1N5913CPE3/TR8 1N5913D 1N5913D G