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1N5913CE3/TR13

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功能描述
DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
3.3V
容差
±2%
功率 - 最大值
1.5W
阻抗（最大值）（Zzt）
10 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100μA @ 1V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.2V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 150°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AL，DO-41，軸向
供應商器件封裝
DO-204AL（DO-41）
標準包裝
5,000

1N5913CE3/TR13 技術參數

1N5913C G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1.25W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.25W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:1 1N5913C 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5913BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1.25W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.25W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N5913BRLG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N5913BRL 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:6,000 1N5913PE3/TR12 1N5913PE3/TR8 1N5914A 1N5914A G 1N5914AE3/TR13 1N5914AP/TR12 1N5914AP/TR8 1N5914APE3/TR12 1N5914APE3/TR8 1N5914B 1N5914B G 1N5914BE3/TR13 1N5914BP/TR12 1N5914BP/TR8 1N5914BPE3/TR12 1N5914BPE3/TR8 1N5914BUR-1 1N5914C