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1N5913CP/TR12

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1N5913CP/TR12 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 有效
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 3.3V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 1.5W
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 10 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100μA @ 1V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.2V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 150°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AL,DO-41,軸向
  • 供應商器件封裝
  • DO-204AL(DO-41)
  • 標準包裝
  • 4,000
1N5913CP/TR12 技術參數
  • 1N5913CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000 1N5913C G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1.25W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.25W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N5913C 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 1N5913BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1.25W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.25W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N5913BRLG 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 3W AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N5913PE3/TR8 1N5914A 1N5914A G 1N5914AE3/TR13 1N5914AP/TR12 1N5914AP/TR8 1N5914APE3/TR12 1N5914APE3/TR8 1N5914B 1N5914B G 1N5914BE3/TR13 1N5914BP/TR12 1N5914BP/TR8 1N5914BPE3/TR12 1N5914BPE3/TR8 1N5914BUR-1 1N5914C 1N5914C G
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