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1N5986D

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1N5986D
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
856420
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功能描述
DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
散裝
零件狀態
有效
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
2.7V
容差
±1%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
100 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
75μA @ 1V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.1V @ 200mA
工作溫度
-65°C ~ 175°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
標準包裝
1

1N5986D 技術參數

1N5986C 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5986B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5986B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5986B BK 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N5986B 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:75μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5987UR 1N5987UR-1 1N5988A 1N5988B 1N5988B BK 1N5988B TR 1N5988B_T50A 1N5988B_T50R 1N5988C 1N5988D 1N5988UR 1N5988UR-1 1N5989A 1N5989B 1N5989B BK 1N5989B TR 1N5989B_T50A 1N5989B_T50R