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1N6015B

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 43 Volt 500mW 5%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N6015B 技術參數(shù)

1N6015A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:180 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 27V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6014UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6014UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N6014D 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6014C 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6016B_T50R 1N6016C 1N6016D 1N6016UR 1N6016UR-1 1N6017A 1N6017B 1N6017B_T50A 1N6017B_T50R 1N6017C 1N6017D 1N6017UR 1N6017UR-1 1N6018A 1N6018B 1N6018B_T50A 1N6018B_T50R 1N6018C