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1N6019

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Axial-Leaded 500 mW Zener Diodes

1N6019 技術參數

1N6018UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N6018UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N6018D 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6018C 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6018B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6020B TR 1N6020C 1N6020D 1N6020UR 1N6020UR-1 1N6021A 1N6021B 1N6021C 1N6021D 1N6021UR 1N6021UR-1 1N6022A 1N6022B 1N6022C 1N6022D 1N6022UR 1N6022UR-1 1N6023A