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1N6087DD0

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1N6087DD0 技術參數

1N6081US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6081 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 150V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6080US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6080 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6079US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）工作溫度 - 結:-65°C ~ 155°C 標準包裝:1 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US 1N6103 1N6103A 1N6103AUS 1N6103US 1N6104 1N6104A 1N6104AUS 1N6104US 1N6105 1N6105A 1N6105AUS 1N6105US 1N6106