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1N6104AUSE3

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1N6104AUSE3 技術參數

1N6104AUS 功能描述:TVS DIODE 6.2VWM 12.1VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:6.2V 電壓 - 擊穿（最小值）:7.79V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.1V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:41.3A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6104A 功能描述:TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:6.2V 電壓 - 擊穿（最小值）:7.79V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.1V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:41.3A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6104 功能描述:TVS DIODE 6.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:6.2V 電壓 - 擊穿（最小值）:7.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.71V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:39.24A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6103US 功能描述:TVS DIODE 5.7VWM 11.76VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:5.7V 電壓 - 擊穿（最小值）:6.77V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.76V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:42.37A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6103AUS 功能描述:TVS DIODE 5.7VWM 11.2VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:5.7V 電壓 - 擊穿（最小值）:7.13V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:44.6A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6107 1N6107A 1N6107AUS 1N6107US 1N6108 1N6108A 1N6108AUS 1N6108US 1N6109 1N6109A 1N6109AUS 1N6109US 1N6110 1N6110A 1N6110AUS 1N6110US 1N6111 1N6111A