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1N6108AJANTX

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1N6108AJANTX 技術參數

1N6108A 功能描述:TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:9.1V 電壓 - 擊穿（最小值）:11.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:16.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:29.6A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6108 功能描述:TVS DIODE 9.1VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:9.1V 電壓 - 擊穿（最小值）:10.83V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:17.75V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:28.12A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6107US 功能描述:TVS DIODE 8.4VWM 16.38VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:9.93V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:16.38V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:30.4A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6107AUS 功能描述:TVS DIODE 8.4VWM 15.6VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:10.45V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6107A 功能描述:TVS DIODE 8.4VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:8.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:10.45V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:15.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6110US 1N6111 1N6111A 1N6111AUS 1N6111US 1N6112 1N6112A 1N6112AUS 1N6112US 1N6113 1N6113A 1N6113AUS 1N6113US 1N6114 1N6114A 1N6114AUS 1N6114US 1N6115