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1N6111AE3

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1N6111AE3 技術參數

1N6111A 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:12.2V 電壓 - 擊穿（最小值）:15.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.3V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:22.4A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6111 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:12.2V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.44V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.42V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:21.28A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6110US 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:11.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:13.54V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.05V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:22.61A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6110AUS 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM 21VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:11.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.25V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:23.8A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 標準包裝:1 1N6110A 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM 21VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:11.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.25V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:23.8A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6113US 1N6114 1N6114A 1N6114AUS 1N6114US 1N6115 1N6115A 1N6115AUS 1N6115US 1N6116 1N6116A 1N6116AUS 1N6116US 1N6117 1N6117A 1N6117AUS 1N6117US 1N6118