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1N6373(ICTE-5)

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1N6373(ICTE-5) 技術參數

1N6373 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.4VC AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:Mosorb?? 包裝:散裝零件狀態:過期類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:5V 電壓 - 擊穿（最小值）:6V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:500 1N6372 功能描述:TVS DIODE 45VWM 70VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:45V 電壓 - 擊穿（最小值）:52.9V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:70V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:19A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N6371 功能描述:TVS DIODE 36VWM 54.3VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:36V 電壓 - 擊穿（最小值）:42.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:54.3V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:23A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N6370 功能描述:TVS DIODE 22VWM 32VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:22V 電壓 - 擊穿（最小值）:25.9V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:32V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:40A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N6369 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:18V 電壓 - 擊穿（最小值）:21.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:50A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13 標準包裝:1 1N6373RL4 1N6373RL4G 1N6374 1N6374-E3/51 1N6374-E3/54 1N6374-E3/73 1N6374G 1N6374HE3/51 1N6374HE3/54 1N6374HE3/73 1N6374HE3_A/C 1N6374HE3_A/D 1N6375 1N6375-E3/51 1N6375-E3/54 1N6375-E3/73 1N6375G 1N6375HE3/51