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1N6472US

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  • 封裝
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  • 操作
  • 1N6472US
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    1N6472US

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 0

  • SEMTECH

  • con

  • 24+

  • -
  • 電子元件

  • 1N6472US
    1N6472US

    1N6472US

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 58770

  • Semtech Corporation

  • SQ-MELF, G

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1N6472US
    1N6472US

    1N6472US

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 33935

  • Semtech

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1N6472US
    1N6472US

    1N6472US

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 6000

  • Microsemi Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5KW 2-Pin G-MELF
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL UNI-DIR 15V 1.5KW 2PIN D-5C - Bulk
1N6472US 技術參數
  • 1N6472 功能描述:TVS DIODE 15VWM 26.5VC GPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):15V 電壓 - 擊穿(最小值):16.4V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:26.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):322A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:G,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N6471US 功能描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):12V 電壓 - 擊穿(最小值):13.6V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:22.6V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):374A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,G 供應商器件封裝:G-MELF(D-5C) 標準包裝:1 1N647-1 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N6471 功能描述:TVS DIODE 12VWM 22.6VC GPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):12V 電壓 - 擊穿(最小值):13.6V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:22.6V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):374A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:G,軸向 供應商器件封裝:軸向 標準包裝:1 1N6470US 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):6V 電壓 - 擊穿(最小值):6.5V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:11V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):775A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,G 供應商器件封裝:G-MELF(D-5C) 標準包裝:1 1N6478-E3/97 1N6478HE3/96 1N6478HE3/97 1N6479-E3/96 1N6479-E3/97 1N6479HE3/96 1N6479HE3/97 1N647UR-1 1N6480-E3/96 1N6480-E3/97 1N6480HE3/96 1N6480HE3/97 1N648-1 1N6481-E3/96 1N6481-E3/97 1N6481HE3/96 1N6481HE3/97 1N6482-E3/96
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