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1N6474USE3

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1N6474USE3 技術參數

1N6474US 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:181A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）標準包裝:1 1N6474 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:181A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:G，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6473US 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:24V 電壓 - 擊穿（最小值）:27V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:207A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）標準包裝:1 1N6473 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC GPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:24V 電壓 - 擊穿（最小值）:27V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:207A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:G，軸向供應商器件封裝:軸向標準包裝:1 1N6472US 功能描述:TVS DIODE 15VWM 26.5VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:15V 電壓 - 擊穿（最小值）:16.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:26.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:322A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）標準包裝:1 1N6479-E3/97 1N6479HE3/96 1N6479HE3/97 1N647UR-1 1N6480-E3/96 1N6480-E3/97 1N6480HE3/96 1N6480HE3/97 1N648-1 1N6481-E3/96 1N6481-E3/97 1N6481HE3/96 1N6481HE3/97 1N6482-E3/96 1N6482-E3/97 1N6482HE3/96 1N6482HE3/97 1N6483-E3/96