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1N6479/25

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價格
說明
操作

1N6479/25
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
256
Vishay Semiconductors
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

1N6479/25
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
850000
Vishay Semiconductors
DO-213AB
12+
-
全新原裝現貨庫存！400-800-030...

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1

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1N6479/25 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
整流器 1.0 Amp 100 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N6479/25 技術參數

1N6478HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6478HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6478-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6478-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6476US 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:51.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:54V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:107A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）標準包裝:1 1N648-1 1N6481-E3/96 1N6481-E3/97 1N6481HE3/96 1N6481HE3/97 1N6482-E3/96 1N6482-E3/97 1N6482HE3/96 1N6482HE3/97 1N6483-E3/96 1N6483-E3/97 1N6483HE3/96 1N6483HE3/97 1N6484-E3/96 1N6484-E3/97 1N6484HE3/96 1N6484HE3/97 1N6485