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1N6479

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1N6479-E3/96
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
VISHAY
DO-213
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

1N6479HE3/96
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
13515
Vishay Semiconductors
DO-213AB
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1N6479-E3/96
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
30000
VISHAY SE
1521+
-
全新原裝現貨

1N6479/25
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
850000
Vishay Semiconductors
DO-213AB
12+
-
全新原裝現貨庫存！400-800-030...

1N6479-E3/96
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
價格優勢
2230
-
全新原裝渠道現貨

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制造商
GS
功能描述
General Purpose 100V SMD (Surface Mount) Rectifier DO-213AB 1.0A
制造商
GS
功能描述
General Purpose 100V SMD (Surface Mount) Rectifier DO-213AB 1.0A - free partial T/R at 500.

1N6479 技術參數

1N6478HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6478HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6478-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6478-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6476US 功能描述:TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:51.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:54V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:107A（8/20μs）功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW）電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應商器件封裝:G-MELF（D-5C）標準包裝:1 1N648-1 1N6481-E3/96 1N6481-E3/97 1N6481HE3/96 1N6481HE3/97 1N6482-E3/96 1N6482-E3/97 1N6482HE3/96 1N6482HE3/97 1N6483-E3/96 1N6483-E3/97 1N6483HE3/96 1N6483HE3/97 1N6484-E3/96 1N6484-E3/97 1N6484HE3/96 1N6484HE3/97 1N6485