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1N6481HE3/97

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1N6481HE3/97
    1N6481HE3/97

    1N6481HE3/97

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 15468

  • Vishay Semiconductors

  • DO-213AB

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
1N6481HE3/97 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 整流器 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 產(chǎn)品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向電壓
  • 100 V
  • 正向電壓下降
  • 恢復(fù)時間
  • 1.2 us
  • 正向連續(xù)電流
  • 2 A
  • 最大浪涌電流
  • 35 A
  • 反向電流 IR
  • 5 uA
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-221AC
  • 封裝
  • Reel
1N6481HE3/97 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6481HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N6481-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6481-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N648-1 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):500V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 500V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6480HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6484-E3/97 1N6484HE3/96 1N6484HE3/97 1N6485 1N6485US 1N6486 1N6486US 1N6487 1N6487US 1N6488 1N6488US 1N6489 1N6489US 1N648UR-1 1N6490US 1N649-1 1N6492 1N649UR-1
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