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1N753A-TR50

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1N753A-TR50 技術(shù)參數(shù)
  • 1N753ATR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N753A-1TR 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N753A-1 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N753A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N753A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N755A 1N755A BK 1N755A TR 1N755A_S00Z 1N755A_T50A 1N755A_T50R 1N755A-1 1N755ATR 1N755AUR-1 1N756A 1N756A BK 1N756A TR 1N756A_S00Z 1N756A_T50A 1N756A_T50R 1N756A-1 1N756ATR 1N756AUR-1
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