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1N914T/R

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1N914T/R 技術參數

1N914BWT 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523F 供應商器件封裝:SOD-523F 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N914BWS RRG 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:SOD-323F 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1N914BWS 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:SOD-323F 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1N914BW RHG 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:150mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:SOD-123F 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 1N914BTR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N916A_T50R 1N916ATR 1N916B 1N916B_T50R 1N916TR 1N935A 1N935B 1N935BUR-1 1N936A 1N936B 1N936BUR-1 1N937A 1N937B 1N937BUR-1 1N938 1N938A 1N938B 1N938BUR-1