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1N964N

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1N964N 技術(shù)參數(shù)
  • 1N964BTR 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N964B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N964B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N964B TR 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N964B BK 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 9.9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N966A 1N966B 1N966B TR 1N966B_S00Z 1N966B_T50A 1N966B_T50R 1N966BTR 1N967A 1N967B 1N967B BK 1N967B TR 1N967B_S00Z 1N967B_S62Z 1N967B_T50A 1N967B_T50R 1N967BTR 1N968A 1N968B
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